کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747733 | 1462222 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Absorption coefficients of GeSn extracted from PIN photodetector response
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper the optical absorption of the GeSn PIN photodetector was investigated. The vertical GeSn PIN photodetectors were fabricated by molecular beam epitaxy (MBE) and dry etching. By means of current density–voltage (J–V) and capacity–voltage (C–V) measurements the photodetector device was characterized. The absorption coefficients of GeSn material were finally extracted from the optical response of PIN structure. With further direct bandgap analysis the influences of device structure was proved negligible.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 110, August 2015, Pages 71–75
Journal: Solid-State Electronics - Volume 110, August 2015, Pages 71–75
نویسندگان
Kaiheng Ye, Wogong Zhang, Michael Oehme, Marc Schmid, Martin Gollhofer, Konrad Kostecki, Daniel Widmann, Roman Körner, Erich Kasper, Jörg Schulze,