کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747833 | 1462219 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High PAE high reliability AlN/GaN double heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: High PAE high reliability AlN/GaN double heterostructure High PAE high reliability AlN/GaN double heterostructure](/preview/png/747833.png)
چکیده انگلیسی
We report on AlN/GaN double heterostructures for high frequency applications. 600 h preliminary reliability assessment has been performed on these emerging RF devices, showing promising millimeter-wave 100 nm gate length GaN-on-Si device stability for the first time. A 150 nm AlN/GaN double heterostructure has been developed and evaluated on SiC substrate. State-of-the-art CW power-added-efficiencies (PAE) up to 40 GHz have been achieved on ultrathin barrier (6 nm) GaN devices while operating at a drain bias exceeding 30 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 49–53
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 49–53
نویسندگان
F. Medjdoub, M. Zegaoui, A. Linge, B. Grimbert, R. Silvestri, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni,