کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
747839 | 1462219 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A quasi 2D semianalytical model for the potential profile in hetero and homojunction tunnel FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A quasi 2D semianalytical model for the potential profile in hetero and homojunction tunnel FETs is developed and compared with full-quantum simulation results. It will be shown that the pure analytical solution perfectly matches results at high VDS. However, a coupling with the numerical solution of the 1D Poisson equation in the radial direction is necessary at low VDS, in order to properly account for the charge density in equilibrium with the drain contact. With such an approach we are able to correctly predict the potential profile for both the linear and saturation regimes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 86–91
Journal: Solid-State Electronics - Volume 113, November 2015, Pages 86–91
نویسندگان
F. Villani, E. Gnani, A. Gnudi, S. Reggiani, G. Baccarani,