کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748138 | 894736 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A single-poly EEPROM cell for embedded memory applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We present a novel single-poly-silicon EEPROM cell for embedded memory. The cell is integrated in a 0.13 μm RF-CMOS technology without process modifications and is composed of an NMOS transistor and a MOS capacitor on two isolated P-wells sharing a floating poly-silicon layer. A two-polarity voltage of ±6 V is applied for writing and erasing using uniform-channel Fowler–Nordheim tunnelling. Operations faster than 1 ms, endurance over 10+3 cycles and data retention longer than 10 years are demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 6, June 2009, Pages 644–648
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 6, June 2009, Pages 644–648
نویسندگان
A. Di Bartolomeo, H. Rücker, P. Schley, A. Fox, S. Lischke, Kee-Yeol Na,