کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748171 | 894740 | 2009 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tight-binding and effective mass modeling of armchair graphene nanoribbon FETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We show that a ballistic quantum transport model based on the effective mass approximation can fairly well describe the I–V characteristics of armchair graphene nanoribbon FETs at all bias conditions, including regimes dominated by direct or band-to-band tunneling, provided first-order non-parabolic corrections be included in the simulation. This is achieved by means of an energy (position) dependent effective mass. The analysis is supported by comparisons with an atomistic tight-binding model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 4, April 2009, Pages 462–467
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 4, April 2009, Pages 462–467
نویسندگان
Roberto Grassi, Stefano Poli, Elena Gnani, Antonio Gnudi, Susanna Reggiani, Giorgio Baccarani,