کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748247 | 1462250 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Functional nanocrystal-based memories with extraction of nanocrystals properties by charge pumping technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Functional nanocrystal-based memories with extraction of nanocrystals properties by charge pumping technique Functional nanocrystal-based memories with extraction of nanocrystals properties by charge pumping technique](/preview/png/748247.png)
چکیده انگلیسی
⺠Memory devices with 2D arrays of Si nanocrystals created by 1 keV ion implantation. ⺠More than 106 erase/write cycles without degradation of the memory window. ⺠Development of charge pumping technique for characterization of nanocrystals memory. ⺠Extraction of type, location, density⦠of trapping centers by charge pumping. ⺠Link between trapping centers and memory performance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 82, April 2013, Pages 11-15
Journal: Solid-State Electronics - Volume 82, April 2013, Pages 11-15
نویسندگان
R. Diaz, J. Grisolia, B. Pecassou, M. Shalchian, G. BenAssayag,