کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748304 | 894753 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Progress in fabrication processing of thin film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Progress in fabrication processing of thin film transistors Progress in fabrication processing of thin film transistors](/preview/png/748304.png)
چکیده انگلیسی
This paper first discusses laser crystallization of silicon (Si) films with a carbon optical absorption layer, which makes it possible to use an infrared laser light. Then we discuss heat treatment with high-pressure H2O vapor for defect reduction of laser crystallized Si films and their interface for fabrication of high performance Si thin film transistors (TFTs). Finally, we present a method of transfer process of electrical circuits from original glass substrates to foreign plastic films, developed with GeO2 removing layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 3, March 2008, Pages 359-364
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 3, March 2008, Pages 359-364
نویسندگان
Kazuya Yoshioka, Toshiyuki Sameshima, Naoki Sano,