کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748325 | 894753 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A coplanar hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor for controlling backlight brightness of liquid-crystal display
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We studied a coplanar hydrogenated amorphous silicon thin-film transistor (TFT) to control the backlight brightness in liquid-crystal display (LCD). This was done by designing the inverse-staggered TFT for the switching device and the coplanar TFT to absorb the illumination from backlight. We achieved the field-effect mobility of 0.3 cm2/V s, threshold voltage of 3.6 V, and the subthreshold voltage swing of 1.3 V/d for the coplanar TFT. The TFT showed the photocurrent of ∼10−8 A and dark current of ∼10−11 A in the operation region of backlight for TFT–LCD. The dynamic range was 50 dB which is good enough to control the brightness of the backlight.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 3, March 2008, Pages 478–481
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 3, March 2008, Pages 478–481
نویسندگان
Se Hwan Kim, Eung Bum Kim, Hee Yeon Choi, Moon Hyo Kang, Ji Ho Hur, Jin Jang,