کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748397 | 894758 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Linearity study of multiple independent gate field effect transistor (MIGFET) under symmetric and asymmetric operations
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, we investigate the linearity of undoped body multi-gate independent FinFET (MIGFET) experimentally. The MIGFET device with sub-50 nm body thickness is fabricated on SOI wafers. The device transconductance and its high order derivatives under different bias conditions are measured. RF two-tone inter-modulation distortion measurements are performed. Both the DC and RF measurements demonstrate that the properly biased asymmetric MIGFET provides better linearity performance than that of symmetric MIGFET biased at the conventional moderate inversion linearity “sweet spot”. The improved linearity is explained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 2, February 2008, Pages 259–263
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 2, February 2008, Pages 259–263
نویسندگان
Jing-Feng Gong, Philip C.H. Chan,