کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748411 | 894759 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Statistical study on the temperature dependence of the turn-on characteristics for p-type LTPS TFTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Statistical study on the temperature dependence of the turn-on characteristics for p-type LTPS TFTs Statistical study on the temperature dependence of the turn-on characteristics for p-type LTPS TFTs](/preview/png/748411.png)
چکیده انگلیسی
In recent years, low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin-film transistor (TFT) has been widely investigated for various applications to system-on-panel (SOP) technology. However, due to the complexity of grain boundary trap properties, the conducting behaviors of various LTPS TFTs are difficult to be analyzed systematically. In this paper, the common and device-dependent thermal effects are studied to understand the conduction mechanism in the LTPS TFTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 8, August 2007, Pages 1092–1095
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 8, August 2007, Pages 1092–1095
نویسندگان
Yan-Fu Kuo, Ya-Hsiang Tai,