کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748511 | 894766 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation on UV photodetector behavior of RF-sputtered ZnO by impedance spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Ag/ZnO/Ag thin films representing metal/semiconductor/metal ultraviolet (UV) photodetectors were successfully prepared by RF magnetron sputtering. A UV light emitting diode was used as an illuminating source at 365 nm. The current–voltage characteristics of the device under UV illumination showed an enhancement in the forward current. Device modeling was carried out using impedance spectroscopy. The resistance of the device decreased as the light was switched from dark to UV. Moreover, the device showed further decrease in resistance at a bias voltage of up to 2 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 55, Issue 1, January 2011, Pages 59–63
Journal: Solid-State Electronics - Volume 55, Issue 1, January 2011, Pages 59–63
نویسندگان
N.H. Al-Hardan, M.J. Abdullah, H. Ahmad, A. Abdul Aziz, L.Y. Low,