کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748512 | 894766 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-field mobility metal-gate/high-κ Ge n-MOSFETs with small equivalent-oxide-thickness
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We fabricated high performance gate-last TaN/La2O3/SiO2 on Ge n-MOSFET. Small equivalent-oxide-thickness (EOT) of 1.9-nm and high-field mobility of 258 cm2/V s at 0.75 MV/cm were obtained, which were attributed to the thin SiO2-like barrier layer and low process temperature to prevent interfacial reaction during post-deposition annealing (PDA).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 55, Issue 1, January 2011, Pages 64–67
Journal: Solid-State Electronics - Volume 55, Issue 1, January 2011, Pages 64–67
نویسندگان
W.B. Chen, C.H. Cheng, C.W. Lin, P.C. Chen, Albert Chin,