کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
748512 894766 2011 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High-field mobility metal-gate/high-κ Ge n-MOSFETs with small equivalent-oxide-thickness
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
High-field mobility metal-gate/high-κ Ge n-MOSFETs with small equivalent-oxide-thickness
چکیده انگلیسی

We fabricated high performance gate-last TaN/La2O3/SiO2 on Ge n-MOSFET. Small equivalent-oxide-thickness (EOT) of 1.9-nm and high-field mobility of 258 cm2/V s at 0.75 MV/cm were obtained, which were attributed to the thin SiO2-like barrier layer and low process temperature to prevent interfacial reaction during post-deposition annealing (PDA).

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 55, Issue 1, January 2011, Pages 64–67
نویسندگان
, , , , ,