کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748518 | 894767 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of leakage-induced photon emission processes in sub-90Â nm CMOS devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Sub-90Â nm n-MOSFETs have been studied at the sub-threshold and saturation operating regimes using infra-red photon emission intensity and current measurements. The results show a distinctive difference in the photon emission yield profile below and above threshold. A new mechanism for the higher photon emission rates in the sub-threshold regime is proposed. Electrical measurements together with 2-D numerical device simulations were carried out in order to verify this new mechanism.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 920-923
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 920-923
نویسندگان
Y. Weizman, M. Gurfinkel, A. Margulis, Y. Fefer, Y. Shapira, E. Baruch,