کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748532 | 894767 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Current-transport properties of atomic-layer-deposited ultrathin Al2O3 on GaAs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Current-transport properties of atomic-layer-deposited ultrathin Al2O3 on GaAs Current-transport properties of atomic-layer-deposited ultrathin Al2O3 on GaAs](/preview/png/748532.png)
چکیده انگلیسی
We report detailed current-transport studies of ultrathin Al2O3 dielectrics on GaAs grown by atomic layer deposition (ALD) as a function of film thickness, ambient temperature and electric field. The leakage current in ultrathin Al2O3 on GaAs is comparable to or even lower than that of the state-of-the-art SiO2 on Si, not counting on high dielectric constant for Al2O3. By measuring leakage current at a wide range of temperatures from 133 K to 475 K, we are able to identify the electron transport mechanism and measure the thermal-activation energy of the ultrathin oxide films. This thermal-activation energy is proposed as a parameter to generally characterize the quality of ultrathin dielectrics on semiconductors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 1012–1015
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 1012–1015
نویسندگان
H.C. Lin, P.D. Ye, G.D. Wilk,