کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748551 | 894767 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room temperature lasing of GaAs quantum wire vertical-cavity surface-emitting lasers grown on (7Â 7Â 5)B GaAs substrates by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Self-organized GaAs/(GaAs)4(AlAs)2 quantum wires (QWRs) grown on (7 7 5)B-oriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy have been applied to an active region of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs). The (7 7 5)B GaAs QWR-VCSEL with an aperture diameter of 3 μm lased at a wavelength of 765 nm with a threshold current of 0.38 mA at room temperature. This is the first demonstration of laser operation of the QWR-VCSEL by current injection. The light output was linearly polarized in the direction parallel to the QWRs due to the optical anisotropy of the self-organized (7 7 5)B GaAs QWRs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 1137-1140
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 6, June 2006, Pages 1137-1140
نویسندگان
Y. Higuchi, S. Osaki, T. Kitada, S. Shimomura, Y. Takasuka, M. Ogura, S. Hiyamizu,