کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748647 | 894776 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A C-band linear power amplifier is successfully developed with a one-chip 2 mm AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). Two kinds of matching circuits for the linear power amplifier are compared. Besides, stabilization methods for the amplifier are also discussed. At 5.4 GHz, the developed GaN HEMTs linear power amplifier delivers a 37.2 dBm (5.2 W) cw P1 dB output power with 9 dB linear gain and 55.7% maximum power-added efficiency (PAE) with a drain voltage of 25 V. To our best knowledge, the achieved PAE is the state-of-the-art result ever reported for 2 mm gate width single die GaN-based hybrid microwave integrated power amplifier at C-band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 4, April 2010, Pages 457–460
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 4, April 2010, Pages 457–460
نویسندگان
Weijun Luo, Xiaojuan Chen, Hui Zhang, Guoguo Liu, Yingkui Zheng, Xinyu Liu,