کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748654 | 894776 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel macro-model for spin-transfer-torque based magnetic-tunnel-junction elements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Spin-transfer-torque (STT) switching in magnetic-tunnel-junction (MTJ) has important merits over the conventional field induced magnetic switching (FIMS) MRAM in avoiding half-select problem, and improving scalability and selectivity. Design of MRAM circuitry using STT-based MTJ elements requires an accurate circuit model which exactly emulates the characteristics of an MTJ in a circuit simulator such as HSPICE. This work presents a novel macro-model that fully emulates the important characteristics of STT-based MTJ. The macro-model is realized as a three terminal sub-circuit that reproduces asymmetric resistance versus current (R–I) characteristics and temperature dependence of R–I hysteresis of STT-based MTJ element.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 4, April 2010, Pages 497–503
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 4, April 2010, Pages 497–503
نویسندگان
Seungyeon Lee, Hyunjoo Lee, Sojeong Kim, Seungjun Lee, Hyungsoon Shin,