کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748704 | 894781 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
CNT-MOSFET modeling based on artificial neural network: Application to simulation of nanoscale circuits
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: CNT-MOSFET modeling based on artificial neural network: Application to simulation of nanoscale circuits CNT-MOSFET modeling based on artificial neural network: Application to simulation of nanoscale circuits](/preview/png/748704.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we have applied artificial neural network (ANN) for modeling and simulation of carbon nanotube metal–oxide-semiconductor field-effect transistors (CNT-MOSFETs). The simulation is based on ANN model which reduces the computational time while keeping the accuracy of physics-based model like non-equilibrium Green’s function (NEGF) formalism. Finally, the proposed ANN model is imported into HSPICE software as a subcircuit. Results show that the ANN model is suitable to be incorporated into Spice-like tools for nanoscale circuits simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 1, January 2010, Pages 52–57
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 1, January 2010, Pages 52–57
نویسندگان
Mohsen Hayati, Abbas Rezaei, Majid Seifi,