کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748749 | 894784 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-frequency noise in buried-channel SiGe n-MODFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The low-frequency noise and its spatial origin in strained Si/SiGe n-MODFETs with fMAXÂ >Â 200Â GHz is investigated for high-performance analog and mixed-signal applications. The dependence of the low-frequency noise response on two major device design parameters (LG and LSD) is examined. A stronger dependence of 1/f noise on LG compared to LSD is observed. The correlation of drain current noise power spectral density with transconductance suggest carrier number induced fluctuations in the strained silicon channel of SiGe n-MODFETs dominate the noise characteristics. Further investigation of normalized noise spectral density's dependence on gate overdrive voltage confirmed the dominance of carrier number fluctuations in the channel.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 8, August 2009, Pages 901-904
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 8, August 2009, Pages 901-904
نویسندگان
Anuj Madan, John D. Cressler, Steven J. Koester,