کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748783 | 894789 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comprehensive model of frequency dispersion in 4H–SiC MESFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A comprehensive model to accurately and simply describe the trapping property and its influence on device frequency characteristics is proposed for SiC MESFET. DC performance is simulated and trap parameters are extracted. Both positive and negative frequency dispersions of transconductance are simulated and analyzed with deep level traps and self-heating effects. Good agreements with reported results are obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 3, March 2009, Pages 285–291
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 3, March 2009, Pages 285–291
نویسندگان
Hongliang Lu, Yimen Zhang, Yuming Zhang, Tao Zhang,