کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
748783 894789 2009 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A comprehensive model of frequency dispersion in 4H–SiC MESFET
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
A comprehensive model of frequency dispersion in 4H–SiC MESFET
چکیده انگلیسی

A comprehensive model to accurately and simply describe the trapping property and its influence on device frequency characteristics is proposed for SiC MESFET. DC performance is simulated and trap parameters are extracted. Both positive and negative frequency dispersions of transconductance are simulated and analyzed with deep level traps and self-heating effects. Good agreements with reported results are obtained.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 3, March 2009, Pages 285–291
نویسندگان
, , , ,