کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748908 | 894794 | 2009 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon controlled rectifier (SCR) compact modeling based on VBIC and Gummel–Poon models
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Silicon controlled rectifier (SCR) compact modeling based on VBIC and Gummel–Poon models Silicon controlled rectifier (SCR) compact modeling based on VBIC and Gummel–Poon models](/preview/png/748908.png)
چکیده انگلیسی
Silicon controlled rectifier (SCR) is frequently used for electrostatic discharge (ESD) protection applications. For computer-aided design purposes, a macromodel can be constructed for such a device, but a model for the NPN and PNP bipolar transistors imbedded in the SCR is required in the macromodel development. In the paper, we use both the Vertical Bipolar Inter-Company (VBIC) and SPICE Gummel–Poon (SGP) models for these bipolar transistors and compare the perspective macromodel results. Measurements obtained from the transmission line pulsing (TLP) tester are also included to assess the suitability and pros and cons of the VBIC and SGP models for the SCR ESD modeling.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 2, February 2009, Pages 195–203
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 2, February 2009, Pages 195–203
نویسندگان
Lifang Lou, Juin J. Liou, Shurong Dong, Yan Han,