کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
748915 | 894794 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Organic thin-film transistor performance improvement using ammonia (NH3) plasma treatment on the gate insulator surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Organic thin-film transistor performance improvement using ammonia (NH3) plasma treatment on the gate insulator surface Organic thin-film transistor performance improvement using ammonia (NH3) plasma treatment on the gate insulator surface](/preview/png/748915.png)
چکیده انگلیسی
This study examined the effects of NH3-plasma treatment on the gate insulator (SiO2) surface before pentacene deposition. The NH3-plasma treatment can improve the interface property between SiO2/pentacene, providing a suitable surface for pentacene growth. Moreover, the NH3-plasma treatment can also help terminate dangling bonds at the SiO2 surface and thus reduce the interface trap-state density. The proposed method provides a simple and effective method for treating the interface between SiO2/pentacene, reducing interface traps and simultaneously improving pentacene crystallization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 2, February 2009, Pages 246–250
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 2, February 2009, Pages 246–250
نویسندگان
Ching-Lin Fan, Tsung-Hsien Yang, Ping-Cheng Chiu, Cheng-Han Huang, Cheng-I Lin,