کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749017 | 894801 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Integration of CVD silicon nanocrystals in a 32Â Mb NOR flash memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Integration of CVD silicon nanocrystals in a 32Â Mb NOR flash memory Integration of CVD silicon nanocrystals in a 32Â Mb NOR flash memory](/preview/png/749017.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, silicon nanocrystals (Si-NCs) fabricated by Chemical Vapor Deposition (CVD) are successfully integrated in a 32Â Mb ATMEL NOR Flash memory product, processed in a 130Â nm technology platform. Different Si-NC deposition conditions are explored and the threshold voltage distributions of the arrays are correlated to the Si-NC size/dispersion. Main reliability characteristics, as endurance and data-retention after cycling, are studied. Results obtained on large arrays are related to single cell characteristics. The large set of data measured on arrays clearly demonstrates the robustness of our process and integration scheme.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1452-1459
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 9, September 2008, Pages 1452-1459
نویسندگان
S. Jacob, B. De Salvo, L. Perniola, G. Festes, S. Bodnar, R. Coppard, J.F. Thiery, T. Pate-Cazal, C. Bongiorno, S. Lombardo, J. Dufourcq, E. Jalaguier, T. Pedron, F. Boulanger, S. Deleonibus,