کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
749022 894804 2010 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SOI versus bulk-silicon nanoscale FinFETs
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
SOI versus bulk-silicon nanoscale FinFETs
چکیده انگلیسی

Our previously proposed concept of pragmatic FinFET design is overviewed, with new insights given, prior to presenting results of an assessment of nanoscale FinFETs on SOI versus bulk silicon (Si). The assessment is supported by 3-D numerical simulations of FinFETs for a comparison of the electrical properties of the SOI and bulk-Si FinFETs, and it includes a discussion of serious processing issues for the latter. The SOI FinFET is thereby suggested to be viable, whereas the bulk-Si FinFET (as currently defined) is not.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 86–89
نویسندگان
, , , ,