کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749022 | 894804 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
SOI versus bulk-silicon nanoscale FinFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Our previously proposed concept of pragmatic FinFET design is overviewed, with new insights given, prior to presenting results of an assessment of nanoscale FinFETs on SOI versus bulk silicon (Si). The assessment is supported by 3-D numerical simulations of FinFETs for a comparison of the electrical properties of the SOI and bulk-Si FinFETs, and it includes a discussion of serious processing issues for the latter. The SOI FinFET is thereby suggested to be viable, whereas the bulk-Si FinFET (as currently defined) is not.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 86–89
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 86–89
نویسندگان
Jerry G. Fossum, Zhenming Zhou, Leo Mathew, Bich-Yen Nguyen,