کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749024 | 894804 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Performance estimation of junctionless multigate transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Performance estimation of junctionless multigate transistors Performance estimation of junctionless multigate transistors](/preview/png/749024.png)
چکیده انگلیسی
This paper describes the simulation of the electrical characteristics of a new transistor concept called the “Junctionless Multigate Field-Effect Transistor (MuGFET)”. The proposed device has no junctions, a simpler fabrication process, less variability and better electrical properties than classical inversion-mode devices with PN junctions at the source and drain. The simulation results indicate that the junctionless MuGFET is a very promising candidate for future decananometer MOSFET applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 97–103
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 97–103
نویسندگان
Chi-Woo Lee, Isabelle Ferain, Aryan Afzalian, Ran Yan, Nima Dehdashti Akhavan, Pedram Razavi, Jean-Pierre Colinge,