کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749025 | 894804 | 2010 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dynamic body potential variation in FD SOI MOSFETs operated in deep non-equilibrium regime: Model and applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Even in fully-depleted (FD) SOI MOSFETs, the floating-body potential variations may lead to strong transient effects on the current characteristics. A physics-based model, enabling the fast computing of the potential variation with time, is proposed in this paper. The model is validated, for a wide range of technological parameters and biases, by 2D numerical simulations. This model reproduces the experimental data and clarifies the physics mechanisms responsible for the transient variations of gate and drain currents. Relevant applications in the field of EEPROM and capacitorless floating-body DRAM memories are addressed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 104–114
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 2, February 2010, Pages 104–114
نویسندگان
M. Bawedin, S. Cristoloveanu, D. Flandre, F. Udrea,