کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749283 | 894817 | 2008 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of EMI-induced noise spectrum in an enhancement-type MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper models the time domain and frequency domain characteristics of the noise spectrum of a MOSFET device under varying EMI conditions. The theoretical results are compared with experimental measurements. Both sets of results reveal that the magnitude of the EMI-induced noise is governed by the pulse height, the output load, the parasitic capacitance, the interference frequency and the interference amplitude. Furthermore, it is shown that a higher interference amplitude or frequency increases the harmonic noise. The theoretical method presented in this paper provides a convenient means of evaluating the EMI effects and signal-to-noise ratio (SNR) of MOSFETs and similar wavelength devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1207–1216
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 8, August 2008, Pages 1207–1216
نویسندگان
Han-Chang Tsai, Kuo-Chang Wang,