کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749306 | 894820 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A unified charge model for symmetric double-gate and surrounding-gate MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A unified charge model for symmetric double-gate and surrounding-gate MOSFETs A unified charge model for symmetric double-gate and surrounding-gate MOSFETs](/preview/png/749306.png)
چکیده انگلیسی
This paper presents a unified analytical charge model for long channel symmetric double-gate (DG) and surrounding-gate (SGT) MOSFETs. The proposed analytical charge model continuously covers all the operation regions and achieves both computation efficiency and high accuracy. Unified intrinsic capacitance model for both DG and SGT MOSFETs is also presented for AC simulation. A detailed comparison between the analytical model and numerical solution is conducted to demonstrate the accuracy of the model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 1, January 2008, Pages 67–72
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 1, January 2008, Pages 67–72
نویسندگان
Huaxin Lu, Bo Yu, Yuan Taur,