کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749313 | 894820 | 2008 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new small-signal modeling and extraction method in AlGaN/GaN HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, a new 20-element small-signal equivalent circuit for GaN HEMTs is proposed and correspondingly, a direct extraction method is developed. Compared with the 16-element conventional GaAs-based HEMT small-signal model (SSM), two parasitic distributed inter-electrode extrinsic capacitances and two additional feedback intrinsic resistances are considered. The new modeling approach for GaN HEMTs is verified by comparing the simulated small-signal S-parameter with the measured data over wide frequency and bias ranges.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 1, January 2008, Pages 115–120
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 1, January 2008, Pages 115–120
نویسندگان
Jing Lu, Yan Wang, Long Ma, Zhiping Yu,