کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749352 | 1462267 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of MOSFET parasitic capacitances, and their impact on circuit performance
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Modeling of MOSFET parasitic capacitances, and their impact on circuit performance Modeling of MOSFET parasitic capacitances, and their impact on circuit performance](/preview/png/749352.png)
چکیده انگلیسی
We study layout dependent, parasitic capacitance contributions of MOSFETs with 3D simulations, and show that these contributions are for narrow and short devices comparable to intrinsic contributions. The performance of 65-nm technology is strongly affected by these components, and should therefore be modeled accurately in circuit simulations. We propose a methodology how to accurately and consistently model them in a design flow. The methodology is validated with ring oscillator measurements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issues 11–12, November–December 2007, Pages 1485–1493
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issues 11–12, November–December 2007, Pages 1485–1493
نویسندگان
Judith Mueller, Rainer Thoma, Ertugrul Demircan, Christophe Bernicot, Andre Juge,