کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749381 | 894824 | 2007 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Trapping phenomena in silicon-based nanocrystalline semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper, the trapping phenomena in silicon-based nanocrystalline semiconductors are studied. We propose a general and complete model for optical charging spectroscopy measurements, which takes into account the trapping–detrapping–retrapping processes and all the types of discharge currents that can occur in a nanocrystalline system. The model was applied to the measurements performed on multi-quantum well structures, (nc-Si/CaF2)50, as well as on nanocrystalline porous silicon. This way, the trap parameters that are not directly measurable were determined.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 10, October 2007, Pages 1328–1337
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 10, October 2007, Pages 1328–1337
نویسندگان
M.L. Ciurea, V. Iancu, M.R. Mitroi,