کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749473 | 894829 | 2007 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantum-wire effects in trigate SOI MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quantum-wire effects in trigate SOI MOSFETs Quantum-wire effects in trigate SOI MOSFETs](/preview/png/749473.png)
چکیده انگلیسی
Trigate SOI transistors have been modeled using the Poisson and Schrödinger equations. In devices with a large enough cross section, inversion channels form at the Si/SiO2 interfaces, but in devices with a small section, volume inversion is clearly visible. A transition between a one-dimensional density of states to a two-dimensional density of states is observed when the height of the fin is increased. Current oscillations are experimentally observed when the gate voltage is increased. These are due to a quantum-wire effect in which electron mobility is affected by intersubband scattering.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 9, September 2007, Pages 1153–1160
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 9, September 2007, Pages 1153–1160
نویسندگان
Jean-Pierre Colinge,