کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749542 | 1462270 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An improved junction capacitance model for junction field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A new junction capacitance model for the four-terminal junction field-effect transistor (JFET) is presented. With a single expression, the model, which is valid for different temperatures and a wide range of bias conditions, describes correctly the JFET junction capacitance behavior and capacitance drop-off phenomenon. The model has been verified using experimental data measured at Texas Instruments.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 7â8, JulyâAugust 2006, Pages 1395-1399
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issues 7â8, JulyâAugust 2006, Pages 1395-1399
نویسندگان
Hao Ding, Juin J. Liou, Claude R. Cirba, Keith Green,