کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749571 | 894833 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An empirical model for leakage current in poly-silicon thin film transistor
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل تجربی برای جریان نشت در ترانزیستور فیلم نازک پلی سیسیکونی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
جریان نشت، ترانزیستورهای پلی کربن نازک، اثر پولو-فینکل
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
The electric fields present in drain depletion region of poly-silicon thin film transistors (poly-Si TFTs) result in the enhancement of emission rate from the traps. An empirical relation between the field enhanced emission rate and electric field is proposed, which can be used to model the leakage current of poly-Si TFTs as a function of gate bias and temperature. The leakage current shows good agreement with the experimental data over wide range of temperature and gate bias. The model can be useful for circuit simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 44, Issue 11, 1 November 2000, Pages 2015–2019
Journal: Solid-State Electronics - Volume 44, Issue 11, 1 November 2000, Pages 2015–2019
نویسندگان
M.J. Siddiqui, S. Qureshi,