کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749591 | 894834 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analytical channel thermal noise model for deep-submicron MOSFETs with short channel effects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: An analytical channel thermal noise model for deep-submicron MOSFETs with short channel effects An analytical channel thermal noise model for deep-submicron MOSFETs with short channel effects](/preview/png/749591.png)
چکیده انگلیسی
In this work, an analytical channel thermal noise model for short channel MOSFETs is derived. The transfer function of the noise was derived by following the Tsividis’ method. The proposed model takes into account the channel length modulation, velocity saturation, and carrier heating effects in the gradual channel region. Modeling results show good agreements with the measured noise data.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 7, July 2007, Pages 1034–1038
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 7, July 2007, Pages 1034–1038
نویسندگان
Jongwook Jeon, Jong Duk Lee, Byung-Gook Park, Hyungcheol Shin,