کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749640 | 894837 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new model for four-terminal junction field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A new model for four-terminal junction field-effect transistors A new model for four-terminal junction field-effect transistors](/preview/png/749640.png)
چکیده انگلیسی
This paper presents a compact and semi-empirical model for a four-terminal (independent top and bottom gates) junction field-effect transistor (JFET). The model describes the steady-state characteristics for all bias conditions with a unified equation. Moreover, the model provides a high degree of accuracy and continuity for the different operation regions, a critical factor for robust analog circuit simulations. Capacitance modeling is also included to describe the JFET small-signal behavior. The model has been implemented in Cadence framework via Verilog-A and compared with data measured from JFETs used at Texas Instruments.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 422–428
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 422–428
نویسندگان
Hao Ding, Juin J. Liou, Keith Green, Claude R. Cirba,