کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749641 | 894837 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pd/Pt/Au ohmic contact for AlSb/InAs0.7Sb0.3 heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A Pd/Pt/Au ohmic contact to AlSb/InAs0.7Sb0.3 heterostructures has been studied. The contacts provide a contact resistance of 0.07 (±0.01) Ω mm when annealed at 300 °C for 15 min. Prior to annealing, the contact reacts non-uniformly with the heterostructure, but not down to the InAs0.7Sb0.3 channel. Following annealing at 300 °C for 15 min, the entire heterostructure beneath the contact is consumed down to the underlying AlSb buffer layer. This morphology differs from that reported for optimized ohmic contacts to AlGaAs/GaAs heterostructures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 429–432
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 429–432
نویسندگان
J.A. Robinson, S.E. Mohney, J.B. Boos, B.P. Tinkham, B.R. Bennett,