کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749645 | 894837 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An analytical model of Monte Carlo electron scattering in ZnS
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
By extending the conduction band structure, this paper sets up an analytical model in ZnS. We have used this model to make a Monte Carlo simulation of electron scattering. The relevant scattering mechanisms for electrons include optical phonons, acoustic, intervalley and interband scattering and impact ionization. Our calculated density of states (DOS) and scattering curves are compared with the results obtained from the old analytical model and the full band model. It has been shown that the model agrees essentially with the full band method and improves calculation precision. Another important work is to reduce program computation time by using the method of data fitting to scattering rate curves.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 456-459
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 456-459
نویسندگان
Qing-fang He, Zheng Xu, De-ang Liu, Xu-rong Xu,