کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749804 | 894850 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Conductance deep-level transient spectroscopy study of 1 μm gate length 4H-SiC MESFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Conductance deep-level transient spectroscopy (CDLTS) has been performed for 4H-SiC metal–semiconductor field effect transistor (4H-SiC MESFETs). Additionally to an emission band, two unexpected hole-like traps labelled HL1 and HL2 are observed in the spectra. Different measurements, varying the bias conditions show that these traps originate either from the surface state outside the gate region between gate and drain electrodes (HL1) or from interface states at the channel/buffer-layer or buffer-layer/semi-insulating substrate (HL2). The activation energies of both states are respectively determined as 0.90 eV for HL1 and 0.56 eV for HL2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 214–219
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 214–219
نویسندگان
Malek Gassoumi, Jean-Marie Bluet, Imène Dermoul, Hassen Maaref, Gérard Guillot, Erwan Morvan, Christian Dua, Christian Brylinski,