کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749806 | 894850 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Series resistance influence on intersecting behaviour of inhomogeneous Schottky diodes I–V curves
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have studied intersecting behaviour of I–V curves measured at different temperatures for inhomogeneous Schottky diodes with a common series resistance. Analytical expression for the voltage where I–T curves have their minima and the existence of which is a necessary condition for the intersection of I–V curves was derived. It is shown that this voltage remains in the low voltage region where I–V curves of Schottky diodes are commonly measured.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 228–231
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 228–231
نویسندگان
J. Osvald,