کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749809 | 894850 | 2006 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Amorphous and excimer laser annealed SiC films for TFT fabrication
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The characteristics of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by PECVD and crystallized by KrF UV excimer laser annealing (ELA), for different annealing conditions, are studied to determine particulate size, surface roughness, band gap and resistivity in order to apply them to TFTs fabrication. Raman spectra for ELA SiC films indicate the presence of 6H-SiC polytype together with Si and C crystallites. We also describe the fabrication process to obtain a-Si1−xCx:H TFTs and ELA TFTs on the same wafer, comparing their output and transfer characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 241–247
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 241–247
نویسندگان
B. García, M. Estrada, K.F. Albertin, M.N.P. Carreño, I. Pereyra, L. Resendiz,