کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749811 | 894850 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A modified Angelov model for InGaP/InGaAs enhancement- and depletion-mode pHEMTs using symbolic defined device technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A modified Angelov model for InGaP/InGaAs enhancement-mode (E-mode) and depletion-mode (D-mode) pHEMTs is presented which achieves a good agreement with the device DC and microwave performance. This model is based on the Angelov model, by modifying the formula to have comprehensive bias-dependent descriptions for nonlinear behaviors of the devices. The measured and model-predicted device DC I–V curves, S-parameters, and power performance have been compared. Good correspondences between measurement and simulation power performance up to the third-order inter-modulation product are demonstrated for E-mode and D-mode pHEMTs simultaneously, which confirm the validity of this model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 254–258
Journal: Solid-State Electronics - Volume 50, Issue 2, February 2006, Pages 254–258
نویسندگان
Chia-Shih Cheng, Yuan-Jui Shih, Hsien-Chin Chiu,