کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753191 | 895502 | 2010 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
2D analytical calculation of the electrostatic potential in lightly doped Schottky barrier Double-Gate MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we present a new way to calculate the electrostatic potential of Schottky barrier Double-Gate MOSFETs (SB-DG-MOSFET) in subthreshold region. Compared to the most existing models, our model does not introduce any kind of fitting parameters, all parameters depend on geometry and boundary conditions. This is beneficial for its advantage application in circuit simulations. We solve 2D Poisson equation in an analytical closed-form with the conformal mapping technique. The model is compared with data simulated by TCAD Sentaurus for channel lengths down to 22 nm and is in good agreement to this simulation results.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1372–1380
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1372–1380
نویسندگان
Mike Schwarz, Michaela Weidemann, Alexander Kloes, Benjamín Iñíguez,