کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753198 | 895502 | 2010 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Unified large and small signal non-quasi-static model for long channel symmetric DG MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Unified large and small signal non-quasi-static model for long channel symmetric DG MOSFET Unified large and small signal non-quasi-static model for long channel symmetric DG MOSFET](/preview/png/753198.png)
چکیده انگلیسی
We propose a unified model for large signal and small signal non-quasi-static analysis of long channel symmetric double gate MOSFET. The model is physics based and relies only on the very basic approximation needed for a charge-based model. It is based on the EKV formalism [Enz C, Vittoz EA. Charge based MOS transistor modeling. Wiley; 2006] and is valid in all regions of operation and thus suitable for RF circuit design. Proposed model is verified with professional numerical device simulator and excellent agreement is found.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1421–1429
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1421–1429
نویسندگان
Sudipta Sarkar, Ananda S. Roy, Santanu Mahapatra,