کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753205 | 895502 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new vertical MOSFET “Vertical Logic Circuit (VLC) MOSFET” suppressing asymmetric characteristics and realizing an ultra compact and robust logic circuit
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The asymmetric characteristics of the conventional vertical MOSFET are examined. To reduce the IR drop influences of the diffusion resistance for the vertical MOSFET, a new vertical MOSFET for the Vertical Logic Circuit (VLC) configuration, which separates the current paths of small currents from large currents, has been proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1457–1462
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1457–1462
نویسندگان
Koji Sakui, Tetsuo Endoh,