کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753209 | 895502 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Sensitivity analysis of magnetic field sensors utilizing spin-dependent recombination in silicon diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Sensitivity analysis of magnetic field sensors utilizing spin-dependent recombination in silicon diodes Sensitivity analysis of magnetic field sensors utilizing spin-dependent recombination in silicon diodes](/preview/png/753209.png)
چکیده انگلیسی
An analysis of the magnetic field sensitivity that could be achieved in a sensor utilizing spin-dependent recombination (SDR) in silicon diodes is presented. Based on current theories of spin-dependent recombination and shot noise in diodes it is predicted that conventional silicon diodes may be used as detectors in a resonant magnetic field sensors with better than 3 μT resolution in a 1 Hz bandwidth – adequate for applications such as compassing, current sensing, position sensors and non-contact switches. A semiconductor device optimized for maximum SDR response will theoretically achieve a resolution on the order of 1 nT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1479–1484
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 11, November 2010, Pages 1479–1484
نویسندگان
Albrecht Jander, Pallavi Dhagat,