کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753249 | 895505 | 2010 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Estimation of amorphous fraction in multilevel phase-change memory cells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Estimation of amorphous fraction in multilevel phase-change memory cells Estimation of amorphous fraction in multilevel phase-change memory cells](/preview/png/753249.png)
چکیده انگلیسی
The effective thickness of the amorphous chalcogenide part within the active element of a phase-change memory cell is estimated through electrical measurements. Current–voltage characteristics obtained at various intermediate cell states are fitted with the trap-limited subthreshold transport model of [9] and the amorphous part thickness is then extracted. Several cell electrical measures, such as the resistance and the threshold voltage, are shown to closely relate to the estimated parameter. The results serve to further validate the trap-limited conduction model, as well as the series phase distribution hypothesis in the active layer of a phase-change memory cell.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 9, September 2010, Pages 991–996
Journal: Solid-State Electronics - Volume 54, Issue 9, September 2010, Pages 991–996
نویسندگان
N. Papandreou, A. Pantazi, A. Sebastian, E. Eleftheriou, M. Breitwisch, C. Lam, H. Pozidis,