کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753334 | 895515 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Parasitic electrostatic capacitance of high-speed SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Parasitic electrostatic capacitance of high-speed SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Parasitic electrostatic capacitance of high-speed SiGe Heterojunction Bipolar Transistors](/preview/png/753334.png)
چکیده انگلیسی
Vertical and horizontal scaling is aggressively used to increase frequency performances of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors. As a result, the evaluation of the extrinsic electrostatic capacitances becomes increasingly important. In this article, we investigate the electrostatic parasitic capacitance in 230-335Â GHz SiGe transistor technologies. We compare measured electrostatic capacitances with calculations based on a finite elements modelling. We conclude that the influence of the parasitic capacitances only screens the intrinsic performances of the devices by 10-14% but an accurate estimation of theses parasitics must be included in the design of next generation SiGe HBT.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 5, May 2009, Pages 483-489
Journal: Solid-State Electronics - Volume 53, Issue 5, May 2009, Pages 483-489
نویسندگان
Nicolas Zerounian, Frédéric Aniel, Benoît Barbalat, Pascal Chevalier, Alain Chantre,