کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753417 | 895526 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A time-dependent technique for carrier recombination and generation lifetime measurement in SOI MOSFET
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A time-dependent technique is developed for carrier recombination-generation (R-G) lifetimes measurement in the silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET). One gate is kept in strong accumulation, and the other gate is kept in strong inversion. A ramp voltage is applied to the accumulated gate, and the drain current transients are monitored for both carrier R-G lifetimes extraction. The time-dependent technique shows an extensive applicability, and its credibility is proved by simulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 11, November 2008, Pages 1773-1777
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 11, November 2008, Pages 1773-1777
نویسندگان
Gang Zhang, Won Jong Yoo, Chung Ho Ling,