کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
753445 | 895529 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Thin-film inverters based on high mobility microcrystalline silicon thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thin-film inverters based on high mobility microcrystalline silicon thin-film transistors (TFTs) with different channel lengths were realized. The NMOS enhancement load saturation mode (NELS) inverters were prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition at temperatures below 200 °C. The realization of microcrystalline silicon thin-film inverters facilitates the direct integration of column and row drivers and circuitry on display backpanels. The influence of the transistor properties and underlying contact effects on the performance of the inverters will be discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 6, June 2008, Pages 914–918
Journal: Solid-State Electronics - Volume 52, Issue 6, June 2008, Pages 914–918
نویسندگان
Kah-Yoong Chan, Eerke Bunte, Dietmar Knipp, Helmut Stiebig,